第三代半导体创新发展时机成熟有望实现全产是嘛

第三代半导体创新发展时机成熟 有望实现全产业链

第三代半导体具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，因此也被业内誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”以及光电子和微电子等产业的“新发动机”。

我国是全球第二大经济体，经济发展已经迈上高质量发展阶段。提高关键核心技术创新能力，关乎经济高质量发展和国家民族未来。中兴事件的兴起，中美贸易事件的发酵，反面折射出了半导体等核心零部件技术的薄弱，一时引起了社会尤其中国科技界的深思。

要想摆脱“卡脖子”的残酷命运，我国高端核心技术的发展还需要更多自主创新。材料强国是科技强国的基础，第三代半导体材料扮演着愈发关键的角色，也正日益成为国际、国内科技和产业竞争的核心领域之一。

基于高击穿电场、高热导率、高电子LED行业另外和太阳能光伏行业利用得都比较广泛饱和速率及抗强辐射能力等优异性能，第三代半导体材料更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件。在移动通讯、能源互联、新能源汽车、轨道交通、以至国防军备等产业，日逐成为美、欧、日各国竞相布局的重要领域。

目前，我国第三代半导体已列入2030年国家新材料重大项目七大方向之一，正处于研发及产业化发展的关键期。打破垄断、提高国产化率生产，力争实现半导体设备自主可控。为此，《“十三五”材料领域科技创新专项规划》、《半导体照明节能产业发展意见》、《半导体照明节能产业规划》、《半导体管特性图示仪校准仪校准规范》、《半导体照明设备和系统的光辐射安全测试方法》等国家政策、方法标准密集发布，在促进半导体产业发展方面成效显著。

近日，863计划“第三代半导体器件制备及评价技术”项目通过验收。项目开发出基于新型基板的第三代半导体器件封装技术；开展第三代半导体封装和系统可靠性研究，形成相关标准或技术规范；制备出高性能SiC基GaN器件。通过项目的实施，我国在第三代半导体关键的SiC和GaN材料、功率器件、高性能封装以及可见光通讯等领域取得突破，自主发展出相关材料与器件的关键技术，有助于支撑我国在节能减排、现代信息工程、现代国防建设上的重大需求。

长46mm第三代半导体创新发展时机成熟，有望实现全产业链，进入世界先进行列。除了政策支持，我国也成立了集成电路产业基金，“大基金”的投资项目覆盖了集成电路的制造、设计、材料设备、封装测试等环节，大力投资必会带动国内半导体设备行业的快速发展。

另一方面，我国精密加工技术和配套能力进步迅速，已经具备开发并且逐步主导第三代半导体装备的能力。全国多地积极响应，促进地方产业转型升级。近日，芜湖市印发了《芜湖市加快微电子产业发展政策规定（试行）》的通知。该微电子产业发展政策针对第三代半导体企业购买IP、参与研发多项目晶圆等做出了详细的扶持说明。深圳正实施新一轮创新发展战略布局，机器人、相比合成包装膜无人驾驶、等新兴产业日新月异，坪山区将依托5G试点，建设第三代半导体产业集聚区。

尽管发展形势一片良好。但第三代半导体产业核心材料、器件原始创新能力薄弱；体制机制不够完善；缺乏公共研发、服务及产业化的平台。对半导体企业而言，应发挥区域优势，差异化布局，避免重复投入和恶性竞争。围绕第三代半导体光电材料、装备、器件及创新应用，实现全产业链协同创新和产业集群式、高质量发展。